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2019全国集成电路“创业之芯”大赛海宁分赛

发布时间:2019-04-02 访问次数:635次 分享:

全国集成电路“创业之芯”大赛(以下简称大赛)是国内首个专注于集成电路相关领域中早期项目的全国赛事。大赛旨在打造支撑集成电路相关产业人才培养和创新发展的赛事平台,为包括学术研究机构、小型创业团队、成熟公司创新项目等在内的行业个人或团体提供从创业孵化、行业资源接洽到投融资金等多方面的平台服务。大赛详情参见官网:inno.ciciec.com

第二届大赛已于2018年11月正式启动,计划将在全国集成电路产业聚集区社分站赛,包括北京站、西安站、成都站、合肥站、南京站、杭州站、武汉站、和深圳站等。大赛将从各地广泛深入挖掘集成电路产业创新创业项目资源,并以点串线,以线结网,以网撑面,辐射两岸三地全产业生态圈。海宁分站赛活动即将启动,欢迎全国集成电路优秀项目踊跃报名参赛!

海宁分赛组织单位

主办方

工业和信息化部人才交流中心

浙江省海宁市人民政府

承办方

中共海宁市委组织部

浙江省海宁经济开发区

协办方

艾新教育学院

茄子(上海)管理咨询有限公司

大赛时间

2019年4月26—27日

大赛地点

海宁朗豪酒店豪阁厅(一楼)

参赛条件

1.项目所属领域:集成电路相关的设计、应用、材料及制造方向,包括芯片设计方向,芯片应用方向,新型显示与器件方向,制造与封测方向等。详情可参见大赛网站。

2.项目要求:

a)天使组:是否公司注册不限,获股权投资不超过1轮次,且营收小于300万/年;

b)成长组:已经公司注册,且获机构或个人股权投资超过1轮次,或营收大于等于300万/年。

3.其他要求:参赛团队可为企业和创新团队/个人。参赛团队保证所参赛作品必须保证具备自主知识产权,不违反任何中华人民共和国的有关法律,不侵犯任何第三方知识产权或者其他权利,并承担因此带来的一切法律责任。

大赛奖励

1. 对获得海宁分赛一、二、三等奖项目落户海宁的,分别给予300万、200万、100万项目资助,特别优秀的资助额度可提高到600万元;

2. 对泛半导体产业企业新建投资项目设备投资超1000万元(含)以上项目,给予不超过实际投入(仅指设备、技术及软件投入)15%以内、最高3000万元的补助;

3. 对泛半导体产业企业设备投资在1000万元(含)以上的技改投资项目,给予不超过实际投入(仅指设备、技术及软件投入)15%以内、最高3000万元的补助。

更多大赛奖励支持,敬请期待!

(大赛政策兑现需满足海宁落地政策需求,详见文末)

报名方式

请将大赛报名表&项目商业计划书发送至邮箱: zhangyy@wintechm.cn

联系人:章小姐 15057960695

关于海宁

地处中国经济活跃度最高的长三角经济圈,海宁市依托其优越的地理位置、丰富的共享资源和发达的交通网络全面 融入周边沪、苏、杭等城市的“1小时经济圈”,全力拥抱 “接沪融杭”新时代,实现全方位、多层次、宽领域的合作共赢。围绕“工业强市”战略,海宁市大力发展新能源、新材料、高端装备制造为代表的战略性新兴产业,持续推进制造业向创新驱动、量质齐增、绿色制造方向转型优化。

聚焦“一城三地五区”发展目标,海宁经济开发区以泛半导体产业园为重点产业发展载体,着力打造“芯”兴产业集聚区。目前,泛半导体产业园已完成一期——1,170亩核心区块的建设,总建筑面积达90万平方米。在新开发区域内,将引进设计、研发等创新公司,完善商业、人才公寓等综合配套,建设创新集聚区、产业制造区、综合配套区,形成设计、研发、制造,人才培养与引进,以及商业、高端教育、医疗等完善的产业链和综合配套服务体系,打造海宁“芯”城。海宁经济开发区泛半导体产业已形成以半导体装备、元器件、模组、封装测试为主导的发展格局,相关细分行业达到了全国领先水平。

海宁人才项目条件

  • 项目申报人具备硕士及以上学历学位,有海内外创业经验或相关工作经历的优先;

  • 拥有自主知识产权,技术成果达到国际国内先进水平,有较好的市场前景并能实施产业化,优先支持已具备产业化能力或已经产业化的创业项目;

  • 拥有较强的创业团队,团队成员专业结构合理,具有关联性和互补性,此前在项目、产品和技术开发等方面有稳定的合作基础;

  • 年龄不超过55周岁,其中非华裔海外参赛申报人员可放宽至65周岁。身体健康,社会信誉良好,无不良记录;

  • 项目申报人是拟创办企业第一大股东或者最大自然人股东,且本人投入企业的实收资金在200万

科创项目库

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  • 自毁型可编程芯片装置(VAPR)

    项目简介:开发电子雷管芯片组套件,并将其延伸至其他自毁应用场景。

  • 量子点新型显示

    项目简介:利用量子点卓越性能显著提升显示效果,结合LED背光技术,为企业客户提供前所未有的快速、完整、高色域显示方案。

  • 北斗系统接收机关键射频芯片设计与研制

    项目简介:国防科技大学自主创业团队研发北斗系统射频芯片中的低噪声放大器芯片,实现该战略系统关键芯片的替代进口、自主可控。相关技术还可以直接拓展用于研制5G基站设备射频芯片。

  • 氮化镓(GaN)第三代半导体器件和驱动芯片

    项目简介:我们立志成为中国乃至世界第一的宽禁带半导体器件和驱动芯片提供商,发展核心功率以及射频元器件以针对广阔的传统和新兴的应用市场,例如新一代通用电源,新能源汽车,无人驾驶激光雷达,数据中心,无线充电,5G通讯等等。