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三星发布HBM2E存储芯片

发布时间:2020-02-06 访问次数:619次 来源:OFweek 分享:

近日,三星发布了一款名为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片,预计将在今年上半年开始量产。

据悉,HBM2E单颗最大容量为16GB,由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成,单个封装可实现16GB容量,最高可提供3.2Gbps的稳定数据传输速度。

全新的HBM2E记忆体“Flashbolt”采用三星1ynm制程工艺,单颗最大容量为16GB,由16Gb的单Die通过8层堆迭而成。三星官方介绍说,全新的“Flashbolt”在频宽上面有比较明显的提升,在默认的3.2Gbps下,单颗HBM2E就可以提供高达410GB/s的频宽,1秒内便可传输82部 Full HD (5GB)全高清画质的影片。

至于三星内部测试自家全新的“Flashbolt”存储芯片,在“超频”后可以达到最高4.2Gbps的传输速率,频宽更高达538GB/s,比上代产品高出75%。

按照三星官方的说法,全新的HBM2E存储芯片将会在今年上半年开始量产,特别适用于HPC高性能运算系统,并可帮助系统制造商及时改进其超级电脑、AI驱动的数据分析以及最新的图形系统。

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