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高能注入机

发布时间：2018-09-07 访问次数：2350次分享：

设备主要用于逻辑和存储器件、成像器件、功率器件的注入工艺。设备不仅具有稳定性强、注入参数控制精度高、注入均匀性与重复性好的优点，而且公益覆盖范围十分广泛。

The high energy solutions are used for the ion implantation of logic, storage device, image and power device. They can cover a wide range of process with accurate implant parameters, well uniformity and repeatability.

主要技术指标
离子能量 Energy	200 keV-3 MeV
离子源寿命 Source Lifetime	≧200 小时
束流强度 Beam Current	B+,1MeV,≧1000 uA
剂量注入范围 Dose Range	1E11-5E15ion/cm²
均匀性与重复性 Uniformity and Repeatability	剂量：1E11-5E11ion/cm²,1σ≦1%；剂量：5E11-5E15ion/cm²,1σ≦0.5%；
特点: 单圆片注入、高性能、长寿命离子源、能量范围大、能量纯度高、束流能量高、单电荷离子>1 MeV、束流传输效率高、注入流强大。 Single wafer implantation, well performance and long lifetime ion source, wide range of dose, high energy purity, high beam energy, E>1 MeV for single charge, high transmission efficiency, high beam current.

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