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氮化镓(GaN)第三代半导体器件和驱动芯片

项目简介:我们的团队由来自欧美中三地半导体工艺和驱动芯片领域具有国际影响力的业界专家组成,累计行业经验超过60年,我们立志成为中国乃至世界第一的宽禁带半导体器件和驱动芯片提供商,发展核心功率以及射频元器件以针对广阔的传统和新兴的应用市场,例如新一代通用电源,新能源汽车,无人驾驶激光雷达,数据中心,无线充电,5G通讯等等。

项目类别:初创团队

发布时间:2019-07-11

项目阶段

初创阶段

项目介绍

核心技术挑战 尽管业界普遍看好氮化镓功率器件的前景,一些重要的技术挑战仍亟需解决, 例如氮化镓晶体管的常关栅极设计,动态电阻优化,可靠性及量产良率等。其次,高电压(650V)的硅基氮化二极管一直没有实现,是困扰业界多年的难题。最后,氮化镓器件的独特特性及高工作频率,寄生参数的影响显著,使得其驱动电路设计具有相当的挑战。 团队优势 我们团队能为上述所有关键挑战提供世界领先的解决方案。我们的技术能力覆盖了氮化镓功率器件的全产业链,包括外延材料生长,器件设计,氮化镓大规模量产工艺、驱动芯片设计与集成等。我们的全产业链覆盖能力使得我们能够针对不同应用在器件,驱动和应用三个方面对产品做全面优化,提供最具性价比的解决方案,极具可操作性和市场应用竞争力。除了拥有世界顶尖的技术团队,我们核心成员还拥有横跨中国,欧洲和美国三大市场的应用和市场经验,负责的产品线年销售额超2亿美元。团队成员有丰富的在世界500强,以及高科技初创企业的管理,融资和运营经验。一半核心成员拥有MBA或同等的工商管理学位。

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